La8/9Sr1/45Na4/45MnO3/0.5x（V2O5）复合体系的电输运及磁电阻

• 作者: 严国清 唐永刚 宋启祥 张明玉 彭振生 王桂英
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电输运性质 磁电阻温度稳定性 复合体 钙钛矿锰氧化物
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 玻璃及无机非晶态固体
• 页码范围: 1018-1022
• 分类号: O482.54
• 语种: 中文

摘要

用固相反应法制备了 La8/9Sr1/45Na4/45MnO3/0.5x（V2O5）（x = 0，0.04，0.08，0.12，0.16，0.20）系列样品，通过 X 射线衍射谱、扫描电子显微镜、电阻率–温度（ρ–T）和磁电阻–温度（RM–T）的关系，研究了样品的电输运性质及 RM温度稳定性。结果表明：所有样品表现为从高温区绝缘体导电到低温区金属导电的绝缘体–金属相变，随 V2O5复合量增大，绝缘体–金属转变温度 Tp向高温移动；V2O5复合量较小（x≤0.08）时 ρ–T 曲线出现双峰，V2O5复合量较大（x≥0.12）时 ρ–T 曲线双峰消失；所有样品在低温区随温度降低 RM持续增大，表现出低场磁电阻特征，在高温区的本征磁电阻随 V2O5复合量增大而逐渐减小；对于 x = 0.16、0.20 的样品，在 0.8 T 磁场，319～283 K，RM基本保持 6.4%和 5.8%不变。RM温度稳定性的产生原因可能是表面相引起的隧穿磁电阻与体相引起的本征磁电阻竞争的结果。在高温区体相内部双交换引起的本征磁电阻占优势，在低温区界面的磁无序引起的隧穿磁电阻占优势，最终在中间温区产生不随温度变化的 RM。