Cu2ZnSnS4/Si异质结器件的制备及特性研究

• 作者: 文亚南 李琳 梁齐 汪壮兵 董燕
• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: 脉冲激光沉积 Cu2ZnSnS4/Si异质结 I-V特性
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 45-48
• 页数: 4页
• 分类号: O447|O448
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2012.05.013

摘要

利用脉冲激光沉积法在不同电阻率的n型Si(100)基片上沉积Cu2ZnSnS4薄膜,制备p-Cu2ZnSnS4/n-Si异质结.利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDS)和原子力显微镜(AFM)对Cu2ZnSnS4薄膜的结构、组分和形貌进行表征,并对器件进行I-V测试,讨论不同电阻率的Si对异质结器件光电特性的影响.结果表明,器件有良好的整流特性,Si电阻率大的器件光电响应比较好,而Si电阻率小的器件光伏效应比较明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁齐	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	47	197	7.0	10.0
2	李琳	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	41	313	11.0	15.0
3	汪壮兵	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	19	69	5.0	7.0
4	董燕	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	6	19	3.0	4.0
5	文亚南	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	8	21	3.0	4.0