ZnO纳米线PL光谱性质改善的研究

• 作者: 侯玉敏 孙杨慧 朱新利 朱瑞 王伟 王晓伟
• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO纳米线 PL光谱 发光增强 Au表面等离激元共振 退火
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 8-9
• 分类号: O469
• 语种: 中文

摘要

采用CVD方法在管式炉中生长了ZnO纳米线,并通过SEM、TEM和PL光谱仪表征了其形貌、结构及光谱性质.利用Au表面等离激元共振与材料的相互作用,在ZnO纳米线表面镀上Au膜,发现其对ZnO纳米线的PL光谱有明显的改善,纳米线本征发光增强20倍左右,缺陷发光有显著的减弱.通过高温退火,结果显示ZnO纳米线的本征发光和缺陷发光之间存在很强的竞争,在入射光功率一定的条件下,高温退火后ZnO纳米线的本征发光明显地减弱,缺陷发光显著地增强.对退火后的ZnO纳米线镀上Au膜,发现其本征发光增强了30倍左右.这些结果比现有的报道有显著提高

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王伟	北京大学物理学院介观物理国家重点实验室	118	881	16.0	26.0
2	孙杨慧	北京大学物理学院介观物理国家重点实验室	2	4	2.0	2.0
3	王晓伟	北京大学物理学院介观物理国家重点实验室	2	18	2.0	2.0
4	朱瑞	北京大学物理学院介观物理国家重点实验室	4	5	2.0	2.0
5	朱新利	北京大学物理学院介观物理国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
6	侯玉敏	北京大学物理学院介观物理国家重点实验室	3	2	1.0	1.0