半金属元素掺杂TiN的第一性原理研究

• 作者: 李德军 王海媛 薛凤英
• 来源期刊: 天津师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: TiN 半金属元素掺杂 晶格常数 态密度 形成能
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 28-32
• 分类号: O469
• 字数: 3573字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-1114.2012.03.007

摘要

基于密度泛函数理论,采用广义梯度近似方法,对半金属元素原子X(X=B、Si、Ge、As、Sb和Te)掺杂TiN体系的平衡晶格常数和电子结构等进行第一性原理计算,并对掺杂前后的电子态分布变化和形成能进行分析计算.结果表明:掺杂体系中主要的电子贡献仍是N2p态和Ti3d态,随着半金属元素B、Si、Ge、As、Sb和Te的掺入,TiN掺杂体系的导电性能有所提高,但并未超过纯净TiN体系;同时由形成能的计算证明Si掺杂体系最容易达到稳定结构,而Te掺杂是最不稳定的体系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李德军	天津师范大学物理与电子信息学院	73	242	7.0	11.0
2	薛凤英	天津师范大学物理与电子信息学院	3	6	1.0	2.0
3	王海媛	天津师范大学物理与电子信息学院	3	6	1.0	2.0