氮掺杂对SnO2薄膜光电性能的影响

• 作者: 丁啸雄 方峰 蒋建清
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: SnO2薄膜 氮掺杂 光电性能 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 379-384
• 分类号: TB34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2012.05.05

摘要

SnO2薄膜具有透明导电的特性,因而被制成透明电极而广泛应用于平板显示器和太阳能电池中.研究表明,经掺杂的薄膜具有更优异的光电性能,然而传统的掺杂元素Sb,Te或F较为昂贵且有毒性,因此,掺氮将有望解决上述问题.本文利用反应射频磁控溅射法制备出不同氧含量的SnO2以及氮掺杂SnO2薄膜,并分析了薄膜的形貌结构及光电性能.结果表明:薄膜沉积过程中氧分压和氮掺杂对薄膜性能影响较大.在SnO2薄膜中,晶粒呈包状形态,随着氧分压的增加,晶粒取向从(101)转向(110)方向,晶粒尺寸逐渐变小,可见光透光率提升到80％以上,光学带隙增加到4.05 eV;在氮掺杂SnO2薄膜中,晶粒呈四棱锥形态,晶粒取向为(101)方向,随着氧分压的增加,可见光的透过率同样提升到80％以上,光学带隙增加到3.99 eV.SnO2薄膜和氮掺杂SnO2薄膜的电阻率最低分别达到1.5×10-1和4.8×10-3Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋建清	东南大学材料科学与工程学院	147	1301	17.0	25.0
2	方峰	东南大学材料科学与工程学院	73	438	10.0	17.0
3	丁啸雄	东南大学材料科学与工程学院	1	4	1.0	1.0