一种新型纳机电硅谐振器的频率响应特性

• 作者: 于虹 刘春胜 吴士杰 岳东旭 袁为民 陈志远 顾勇 黄庆安
• 来源期刊: 东南大学学报（英文版）
• 学科: 工学
• 关键词: 纳机电系统 谐振频率 过腐蚀 纳米梁
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 310-314
• 分类号: TP212.13
• 字数: 521字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-7985.2012.03.010

摘要

对于静电驱动的亚微米及纳米尺度的谐振器,衍射效应将会使其驱动及振动频率的光学检测变得更加困难,为克服衍射效应的影响,设计、制作了新型纳机电谐振梁——H型梁,使其产生高频振荡.并制作了双端固支谐振器以进行比较.2种谐振梁的最小宽度和厚度分别为180和200nm.对这2种结构的机械振动特性进行了实验研究.谐振器的基波振荡频率在6.8～20MHz之间,远低于理论预估值.通过模拟仿真发现,过腐蚀是导致振动频率低于理论值的重要原因之一.实验还发现:2种谐振器的谐振频率之差随着梁的长度增加而下降；在室温下减小样品腔的压强后,谐振器的品质因数可以大大提高.