1.06μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器的温度特性

• 作者: 刘国军 曲轶 李再金 李特 芦鹏 薄报学 马晓辉
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 1.06μm 阈值电流 温度特性
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 647-650
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2324字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123306.0647

摘要

:研究了1.06μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器厘米bar模块的温度特性,测试分析了该模块的输出光功率、阈值电流、转换效率和光谱随注入电流及管芯温度变化的特性.结果表明,器件在15～55℃范围内所测的输出光功率由40.7W降低到29.4W,阈值电流由9.29 A升高到17.24 A,转换效率由54.22％降低到37.55％,光谱漂移为0.37 nm/℃,特征温度为68.6 K.实验结果表明,为保持器件性能的稳定,在实际应用过程中应该使器件的温度控制在15～ 25℃范围内.