基于结构函数的功率MOSFET器件热阻研究

• 作者: 王立新 肖超
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET器件 热阻 结构函数 超声波扫描 焊料空洞
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 489-492
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2550字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2012.05.001

摘要

热阻是衡量功率MOSFET器件散热能力的重要参数,对其准确测试与分析具有重要意义.基于结构函数理论,同一功率MOSFET器件在不同条件下进行两次实验,通过积分结构函数分离点来确定器件热阻.该方法简单准确,可重复性好,实验测试结果为0.5 K/W,与有限元(FE)建模获得的0.44 K/W符合较好.对比两不同批次器件的微分结构函数,其中一种器件微分结构函数发生0.2 K/W偏移,超声波扫描(SAM)发现该器件焊料层存有空洞,该方法可用来判断器件内部工艺的好坏.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立新	中国科学院微电子研究所	97	1160	17.0	30.0
2	肖超	中国科学院微电子研究所	5	37	4.0	5.0