Diodes封装MOSFET有助于实现低温操作

• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 低温度 封装 操作 功率耗散 器件
• 年，卷（期）: dysjb_2012,（1）
• 页码范围: 19
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装MOSFET。该器件的结点至环境热阻（Rthj-a）为130。C/W,能在持续状态下支持高达1W的功率耗散,相比于占位面积相同、Rthi-a性能为280℃/W的SOT723封装,能实现更低温度运行。