深亚微米SRAM器件单粒子效应的脉冲激光辐照试验研究

• 作者: 上官士鹏 封国强 韩建伟 马英起
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 脉冲激光 单粒子翻转效应 单粒子闩锁效应 单粒子微闩锁效应
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 1019-1024
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

利用脉冲激光模拟试验装置对IDT公司0.13 μm工艺IDT71V416S SRAM的单粒子效应进行了试验研究.在3.3V正常工作电压下,试验测量了单粒子翻转阈值和截面、单粒子闩锁阈值和闩锁电流及其与写入数据和工作状态的关系.单粒子翻转试验研究表明,该器件对翻转极敏感,测得的翻转阈值与重离子、质子试验结果符合较好；该器件对多位翻转较敏感,其中2位翻转占绝大部分且其所占比例随辐照激光能量增加而增大,这与重离子试验结果也一致.单粒子闩锁试验分析了闩锁效应的区域性特点,发现了器件闩锁电流呈微小增大的现象,即表现出单粒子微闩锁效应,分析了这种现象对传统的抗闩锁电路设计可能造成的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩建伟	中国科学院空间科学与应用研究中心	90	549	14.0	18.0
2	封国强	中国科学院空间科学与应用研究中心	22	139	6.0	10.0
3	上官士鹏	中国科学院空间科学与应用研究中心	12	54	4.0	6.0
7	马英起	中国科学院空间科学与应用研究中心	12	69	5.0	8.0