CdSiP2多晶合成的热力学研究

• 作者: 何知宇 刘光耀 朱世富 杨辉 樊龙 王小元 赵北君 陈宝军
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CdSiP2 热力学参数 多晶合成 单晶生长
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 11-14,19
• 分类号: TN304
• 字数: 2399字
• 语种: 中文

摘要

采用离子型化合物函数模型,对CdSia2多晶合成过程的反应焓、熵、Gibbs自由能以及化学平衡常数等热力学参数进行了计算,在1473 K合成CdSiP2多晶时,系统的焓变△rHT ＜0,熵增加值△rSr为负,Gibbs自由能△rGT=-29.68 kJ/mol,平衡常数KT=11.289.结果表明:在1473 K合成CdSiP2多晶,化合反应速率很大,反应充分,产物生成率高,系统趋于稳定.根据计算结果提供的温度1473 K进行CdSiP2多晶合成实验,获得了外观呈紫红色,完整致密的多晶锭,经X射线衍射和光电子能谱分析表明,合成产物为高纯、单相的CdSiP2多晶材料.采用合成的多晶料为原料进行单晶生长,获得了结晶性较好的CdSiP2单晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学系	151	840	14.0	20.0
2	赵北君	四川大学材料科学系	132	744	14.0	19.0
3	陈宝军	四川大学材料科学系	56	160	7.0	9.0
4	何知宇	四川大学材料科学系	69	221	8.0	11.0
5	樊龙	四川大学材料科学系	7	22	3.0	4.0
6	杨辉	四川大学材料科学系	16	50	5.0	6.0
7	刘光耀	四川大学材料科学系	3	14	2.0	3.0
8	王小元	四川大学材料科学系	4	22	3.0	4.0