SiO2纳米颗粒对 a-AlGaN 金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响

• 作者: 孙晓娟 宋航 李志明 缪国庆 蒋红 贾辉 陈一仁 黎大兵
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiO2纳米颗粒 a-AlGaN MSM紫外探测器
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 879-882
• 分类号: O472.8
• 字数: 2153字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123308.0879

摘要

采用对a-AlGaN表面沉积SiO2纳米颗粒制备工艺得到了金属-半导体-金属(MSM)结构的a-AlGaN紫外探测器.与没有沉积SiO2纳米颗粒的探测器件相比,沉积SiO2纳米颗粒使器件的暗电流下降了一个数量级,峰值光谱响应度提高了近3个数量级,紫外/可见抑制比大于103.