Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅研究

• 作者: 丁士进 张卫 朱宝 李连杰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 重掺杂p型单晶硅 Pt纳米颗粒 快速热退火 辅助化学刻蚀 氢氟酸浓度
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体先进制造技术
• 页码范围: 693-697
• 分类号: TN405.983|TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.09.007

摘要

首先在SiO2/Si衬底上磁控溅射了一层超薄Pt薄膜,并通过快速热退火形成了分离的Pt纳米颗粒阵列.接着研究了在氢氟酸和双氧水的混合溶液中Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅片的特性.结果表明,当氢氟酸的浓度为1.06 mol/L时,样品表面分布着许多Pt岛链,在硅衬底表面没有观察到任何孔洞；当氢氟酸的浓度上升到5.3 mol/L时,样品表面起伏不平,出现许多大小不一的小丘,岛链状Pt减少；当氢氟酸的浓度增加到26.5 mol/L时,样品表面出现大量的孔洞,Pt岛链进一步减少.通过对样品的剖面结构进行观察,发现硅衬底中形成了致密的介孔,同时还观察到底部含有Pt岛状物的不规则沟槽,并且介孔的生长速率快于沟槽.最后,对上述实验现象的形成机制进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁士进	复旦大学微电子研究院	29	174	7.0	12.0
2	张卫	复旦大学微电子研究院	43	271	10.0	14.0
3	朱宝	复旦大学微电子研究院	3	2	1.0	1.0
4	李连杰	复旦大学微电子研究院	1	2	1.0	1.0