包埋法制备SiC涂层内残留Si的高温抗氧化作用机制

• 作者: 张武装 曾毅 殷玲 熊翔 郭顺
• 来源期刊: 复合材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: C/C复合材料 包埋法 SiC涂层 残余Si 抗氧化机制
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 91-97
• 页数: 7页
• 分类号: TB332
• 语种: 中文

摘要

采用包埋法在C／C基体上制备了SiC涂层，借助X射线衍射仪（XRD）和扫描电镜（SEM）对涂层的相组成及微观形貌进行了观察和分析，研究了涂层在1500℃静态空气中的氧化行为，并进一步阐述了涂层的抗氧化机制。结果显示：包埋法制备的涂层由α-SiC、β-SiC及游离Si组成，经XRD半定量分析得到不同工艺制备的涂层中游离Si含量不同；游离Si含量越高涂层越致密；氧化性能显示涂层中适量的游离Si有利于涂层的抗氧化，当涂层中游离Si质量分数为1．3％和2．9％时其抗氧化性能均较好，在1500℃静态空气中氧化7h失重率分别为0．19％和0．16％。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊翔		345	3793	27.0	39.0
2	曾毅		33	204	8.0	13.0
3	张武装		34	352	12.0	17.0
4	殷玲		2	2	1.0	1.0
5	郭顺		2	2	1.0	1.0