InnAsn(n=1～20)小团簇几何结构与电子性质的第一性原理研究

• 作者: 刘志锋 刘立仁 吴鹏 祝恒江 邹艳波
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InAs团簇 密度泛函理论 几何结构 电子性质
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 原子、分子与团族物理
• 页码范围: 273-280
• 分类号: O561.1
• 字数: 3353字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2012.02.015

摘要

基于密度泛函理论的第一性原理方法,采用B3LYP下的赝势基组LanL2DZ,研究了InnAs.(n=1～20)团簇的基态几何结构、相对稳定性、电子性质及其振动光谱.结果表明,当n＝5～11时团簇的基态构型为层状结构；当n=12～20时团簇的基态构型为茏状结构.团簇平均结合能、二阶能量差分和HOM()-LUMO能隙均在n=9,12,18出现极大值,说明Ins As9、In12 As12和In18 As18为幻数团簇.另外,HOMO-LUMO能隙的计算结果表明InnAsn(n=1～20)团簇具有宽带隙半导体特征.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹艳波	新疆师范大学物理与电子工程学院	14	22	3.0	4.0
2	祝恒江	新疆师范大学物理与电子工程学院	49	263	8.0	14.0
3	刘立仁	新疆师范大学物理与电子工程学院	14	82	5.0	8.0
4	刘志锋	重庆大学物理学院	4	8	2.0	2.0
5	吴鹏	新疆师范大学物理与电子工程学院	3	8	2.0	2.0