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摘要:
文章首先从原理上较为全面地阐述了欧姆接触形成的必要条件和广泛应用,其次主要针对工艺生产过程中产生的多种n+欧姆接触不良情况进行了汇总分析并提供了相应解决方案。提出了等离子损伤对欧姆接触电阻有较大影响并对此进行实验对比验证。伴随着现代工艺的不断发展进步,欧姆接触电阻将会在电路设计应用中越来越受到重视并发挥重大作用。
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n+多晶硅/n+ SiC异质结欧姆接触
SiC
欧姆接触
多晶硅
异质结
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 后端工艺的N型欧姆接触
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 欧姆接触 PLASMA 台阶覆盖
年,卷(期) 2012,(3) 所属期刊栏目 微电子制造与可靠性
研究方向 页码范围 33-35,40
页数 4页 分类号 TN45
字数 3070字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1681-1070.2012.03.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐海铭 11 14 2.0 3.0
2 黄蕴 3 10 1.0 3.0
3 寇春梅 5 4 1.0 2.0
4 秦征峰 1 0 0.0 0.0
传播情况
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引文网络
引文网络
二级参考文献  (8)
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研究主题发展历程
节点文献
欧姆接触
PLASMA
台阶覆盖
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543
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