晶体硅太阳电池逆电流的研究

• 作者: 杨宏 王海东 王鹤
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 逆电流 热斑 标准
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 7-9,17
• 分类号: TM914
• 字数: 2574字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3474.2012.01.003

摘要

从半导体器件物理出发,分析了晶体硅太阳电池逆电流产生的原因,研究了逆电流对晶体硅太阳电池性能的影响;通过遮挡实验研究了晶体硅太阳电池逆电流对组件可靠性的影响,探讨了逆电流和热斑保护间的关系,首次提出了逆电流的控制标准。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宏		21	370	11.0	19.0
2	王鹤		19	251	9.0	15.0
3	王海东		3	27	2.0	3.0