WSI Polycide工艺的研究

• 作者: 朱赛宁 聂圆燕 陈海峰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: WSI Cap Layer层 优化 Polycide 应力
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 29-32
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2371字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2012.03.009

摘要

文章基于0.5μm CMOS工艺,研究了造成Polycide工艺中WSI剥落、色斑等异常现象的原因。同时,研究了WSI淀积前清洗、退火温度及Cap Layer层对WSI薄膜翘曲度及应力的影响,并通过实验优化,以大量的数据为依据,对影响WSI薄膜特性的工艺参数进行调试和论证,主要考察更改各条件对圆片翘曲度及应力的变化,并通过显微镜镜检圆片表面,获得了0.5μm Polycide工艺较优的工艺条件。实验结果表明,在WSI淀积后增加Cap Layer层工艺对Polycide工艺工期WSI剥落、色斑等异常有较好的改善作用,且圆片表面形貌能达到MOS器件的工艺制造要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱赛宁		2	4	1.0	2.0
2	聂圆燕		2	1	1.0	1.0
3	陈海峰		10	3	1.0	1.0