InSb阳极氧化膜界面特性研究

• 作者: 余黎静 信思树 李延东 杨文运 郭雨航
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 阳极氧化 MIS器件 C-V特性 界面态密度
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 191-195
• 分类号: TN213
• 字数: 3119字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.04.002

摘要

用阳极氧化的方法在InSb衬底上生长氧化膜,并在阳极氧化膜上镀Cr/Au电极以制备MOS器件,通过分析77 K时MOS器件C-V特性,得出InSb-阳极氧化膜界面的掺杂浓度、界面态密度,氧化层中的固定电荷密度可动电荷密度等重要参数,分析其界面特性和制备工艺的关系,为InSb表面的钝化工艺提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	信思树		7	16	2.0	4.0
2	郭雨航		2	4	1.0	2.0
3	杨文运		10	51	4.0	7.0
4	李延东		2	4	1.0	2.0
5	余黎静		1	0	0.0	0.0