一种高速只读存储器拓扑结构的设计

• 作者: 李平 罗前 罗小勇 陈奕含 陈志钧
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 只读存储器 位线电容 拓扑结构
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 46-49
• 分类号: TP333
• 字数: 3404字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2012.01.012

摘要

随着只读存储器密度越来越大,对读取速度的要求越来越高,位线大电容逐渐成为影响只读存储器读取速度的关键问题.设计了一种存储器拓扑结构,这种结构通过改变存储单元读取点的位置,能有效避免位线大电容充放电对读取速度的不利影响,极大地缩短了读取周期,提高了只读存储器的读取速度.该拓扑结构的优势在TSMC 0.13μm工艺仿真库里得到验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李平	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	144	1645	22.0	36.0
2	罗小勇	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	8	8	2.0	2.0
3	罗前	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	10	7	2.0	2.0
4	陈奕含	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	7	2.0	2.0
5	陈志钧	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	4	1.0	2.0