千赫及兆赫级频带EMI技术检测灵敏度实验研究

• 作者: 孟丽娟 李喜孟 李继承 林莉 雷明凯
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 压电阻抗技术 检测频段 检测灵敏度 锆钛酸铅压电陶瓷(PZT)传感器 微小损伤
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 系统及组件
• 页码范围: 776-781
• 页数: 6页
• 分类号: TN712.5|TP391.9
• 字数: 3108字
• 语种: 中文

摘要

借助WK6500B精密阻抗分析仪对压电阻抗(EMI)技术结构健康监测研究中,检测频带与检测灵敏度间的关系进行了定量研究.选用尺寸为1 250 mm×100 mm×3 mm铝梁结构上距离锆钛酸铅压电陶瓷(PZT)传感器1 000 mm的(φ)1.2 mm通孔损伤作为检测对象.在10 kHz～10MHz频率范围内7个峰值集中的频段,分别选用电阻抗谱峰值偏移量(△f)和均方差作为损伤识别指数,对EMI技术检测灵敏度进行了研究.结果表明,在千赫级频带范围内,△f和均方差均随着检测频段的升高呈先增大后减小的变化趋势,280～340 kHz频段对于通孔损伤具有最高的检测灵敏度.在兆赫级频带范围内,△f取值较大,在6.18 MHz处出现了25.0 kHz的显著偏移.由于千赫和兆赫级频带的电阻抗信号分别具有峰值数量多,综合各峰值信息整体分析时对损伤敏感和峰值数量少,单一峰值偏移量对损伤敏感的特点,在实际检测过程中,可将这2个频带的检测结果结合起来以提高EMI技术对微小损伤的检测灵敏度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李喜孟	大连理工大学无损检测研究所	82	742	14.0	22.0
2	李继承	大连理工大学无损检测研究所	8	48	5.0	6.0
3	林莉	大连理工大学无损检测研究所	117	1355	20.0	31.0
4	雷明凯	大连理工大学材料科学与工程学院表面工程研究室	115	712	14.0	19.0
5	孟丽娟	大连理工大学无损检测研究所	2	11	1.0	2.0