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Angular Effects on F＋ Etching SiC： MD Study
Angular Effects on F＋ Etching SiC： MD Study
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摘要：
推荐文章
Effects of carbon anhydrase on utilization of bicarbonate in microalgae: a case study in Lake Hongfe
Microalgae
Carbonic anhydrase
Stable carbon isotope
Inorganic carbon utilization
注F+加固CMOS/SOI材料的抗辐射研究
CMOS/SOI材料
抗辐射
加固
C_f/SiC复合材料与Ti合金的AgCuTi-W复合钎焊
C_f/SiC
Ti合金
钎焊
AgCuTi-W
金红石TiO2晶体中F和F+心电子结构及其吸收光谱研究
F
F+心
能级结构
跃迁能量
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
| 篇名 | Angular Effects on F＋ Etching SiC： MD Study | ||
| 来源期刊 | 等离子体科学和技术：英文版 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 碳化硅 蚀刻 MD 入射角度 分子动力学 稳定状态 反应层 CF3 | ||
| 年，卷（期） | 2012,（12） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 1102-1105 | |
| 页数 | 分类号 | TQ174.758|TN405.982 | |
| 字数 | 语种 | 英文 | |
| DOI | |||
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研究主题发展历程
节点文献
碳化硅
蚀刻
MD
入射角度
分子动力学
稳定状态
反应层
CF3
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
等离子体科学和技术(英文版)
主办单位：
中国科学院合肥物质科学研究所
中国力学学会
出版周期：
月刊
ISSN：
1009-0630
CN：
34-1187/TL
开本：
大16开
出版地：
合肥 中国科学院等离子体物理研究所PST编辑部
邮发代号：
创刊时间：
1999
语种：
eng
出版文献量（篇）
3310
总下载数（次）
0
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