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摘要:
国际领先的IC设计公司及一站式服务供应商——灿芯半导体(上海)有限公司与中芯国际集成电路制造有限公司及ARM今日联合宣布,采用中芯国际40nm低漏电工艺的ARM CortexTM.A9MPCoreTM双核测试芯片首次成功流片。
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文献信息
篇名 中芯与灿芯40LLARMCortex—A9成功流片
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 中芯国际集成电路制造有限公司 IC设计公司 服务供应商 国际领先 ARM 半导体 一站式
年,卷(期) 2012,(3) 所属期刊栏目 信息报道
研究方向 页码范围 28-28
页数 1页 分类号 TP393.4
字数 279字 语种 中文
DOI
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研究主题发展历程
节点文献
中芯国际集成电路制造有限公司
IC设计公司
服务供应商
国际领先
ARM
半导体
一站式
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
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24
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9543
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