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n-ZnO/i-ZnO/p-nc-Si结构薄膜太阳能电池的模拟研究
n-ZnO/i-ZnO/p-nc-Si结构薄膜太阳能电池的模拟研究
作者:
彭启才
林家辉
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
太阳能电池
ZnO
nc-Si
厚度
摘要:
运用AMPS-1D软件对n-ZnO/i-ZnO/p-nc-Si结构的异质结薄膜太阳能电池进行了模拟,探讨了补偿掺杂i-ZnO层厚度变化以及界面态的引入对太阳能电池的开路电压、短路电流密度、填充因子以及转换效率的影响,并对其机理进行了分析.结果表明:界面态的存在会大幅降低太阳能电池的效率,在理想情况下太阳能电池的转换效率可以达到25.381%.
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文献信息
篇名
n-ZnO/i-ZnO/p-nc-Si结构薄膜太阳能电池的模拟研究
来源期刊
电子元件与材料
学科
工学
关键词
太阳能电池
ZnO
nc-Si
厚度
年,卷(期)
2012,(5)
所属期刊栏目
研究与试制
研究方向
页码范围
27-30
页数
分类号
TK513.5
字数
2671字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-2028.2012.05.008
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
林家辉
西华大学材料科学与工程学院
2
5
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彭启才
西华大学材料科学与工程学院
5
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节点文献
太阳能电池
ZnO
nc-Si
厚度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
主办单位:
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
开本:
大16开
出版地:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
邮发代号:
62-36
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
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