冶金法n型多晶硅片磷、硼吸杂实验的研究

• 作者: 史珺 徐进 潘淼 郑兰花 陈朝
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 磷吸杂 硼吸杂 n型多晶硅 少子寿命
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 830-833,841
• 分类号: TM914.41
• 语种: 中文

摘要

研究了冶金法n型多晶硅片磷吸杂、硼吸杂效果及其机理。研究发现,经1 000℃/4h磷吸杂后,硅片平均少子寿命从1.21μs提高到11.98μs;经950℃/1h硼吸杂后,平均少子寿命从1.52μs提升到10.74μs。两种吸杂处理后,硅片电阻率从0.2Ω.cm提高到0.5Ω.cm。结果表明,两种吸杂工艺使得硅片表面形成的重磷、重硼扩散层对金属杂质有较好的吸杂作用,从而减少载流子的复合中心,改善多晶硅片的性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐进	厦门大学材料学院	9	45	3.0	6.0
2	潘淼	厦门大学物理与机电工程学院	7	72	3.0	7.0
3	郑兰花	厦门大学材料学院	3	36	2.0	3.0
4	史珺		14	93	4.0	9.0
5	陈朝		1	3	1.0	1.0