射频磁控溅射低温制备非晶铟镓锌氧薄膜晶体管

• 作者: 信恩龙 张建华 李喜峰 李春亚 石继锋 陈龙龙
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶铟镓锌氧薄膜 薄膜晶体管 场效应迁移率
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1149-1152
• 页数: 4页
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 1711字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123310.1149

摘要

利用射频磁控溅射技术室温制备了铟镓锌氧(IGZO)薄膜,采用X射线衍射(XRD)表征薄膜的晶体结构,原子力显微镜(AFM)观察其表面形貌,分光光度计测量其透光率.结果表明:室温制备的IGZO薄膜为非晶态且薄膜表面均匀平整,可见光透射率大于80％.将室温制备的IGZO薄膜作为有源层,在低温(＜200℃)条件下成功地制备了铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT),获得的a-IGZO-TFT器件的场效应迁移率大于6.0cm2·V-1·s-1,开关比约为107,阈值电压为1.2V,亚阈值摆蝠(S)约为0.9 V/dec,偏压应力测试a-IGZO TFT阈值电压随时间向右漂移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建华	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	106	709	13.0	21.0
2	李喜峰	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	21	70	5.0	6.0
3	陈龙龙	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	4	16	3.0	4.0
4	石继锋	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	6	18	3.0	4.0
5	信恩龙	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	4	21	3.0	4.0
6	李春亚	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	3	10	2.0	3.0