静电纺丝技术制备NiO-ZnTi03-Ti02同轴三层纳米电缆及其形成机制

• 作者: 刘桂霞 宋超 王进贤 董相廷
• 来源期刊: 复合材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: NiO-ZnTiO3-TiO2 同轴三层纳米电缆 静电纺丝技术 形成机制
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 122-128
• 页数: 7页
• 分类号: TB332
• 语种: 中文

摘要

采用静电纺丝技术，通过改进实验装置，在最佳的纺丝条件下制备了[Ni（CH3C00）2＋PVP]-[Zn（CH3C00）2＋PVP]-FTi（OC4H9）4＋CH3C00H＋PVP]前驱体复合电缆，在600℃下将其进行热处理，制备出了NiO-ZnTiO3-Ti02同轴三层纳米电缆。采用热重一差热（TG-DTA）、X射线衍射（XRD）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）、扫描电子显微镜（sEM）和透射电子显微镜（TEM）等分析技术对样品进行了表征。对NiO-ZrlTiO3-TiQ同轴三层纳米电缆的形成机制进行了讨论。结果表明，所得产物为NiO-ZnTiO3-TiO2同轴三层纳米电缆。芯层为NiO，直径大约为（42．024±4．405）nm；中间层为ZnTiO3，厚度大约为（55．385±7．681）niTl；壳层为TiO2，厚度大约为（70．747±7．373）nm。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董相廷		117	1166	18.0	27.0
2	刘桂霞		80	665	15.0	19.0
3	王进贤		107	978	17.0	24.0
4	宋超		18	74	6.0	8.0