电感耦合等离子体-质谱法测定工业硅中的痕量硼和磷

• 作者: 何素芳 刘春侠 单云 卫蓉 熊敏 贺与平
• 来源期刊: 光谱实验室
• 学科: 化学
• 关键词: 电感耦合等离子体-质谱法 工业硅 硼 磷
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 2952-2955
• 页数: 4页
• 分类号: O657.63
• 字数: 1998字
• 语种: 中文

摘要

建立电感耦合等离子体-质谱法(ICP-MS)测定工业硅中痕量B和P的分析方法.采用HF-HNO3混合酸处理样品,对仪器工作参数进行优化,以Rh为校正内标,有效克服了基体效应及多元素分子离子干扰.分析结果表明,方法的检出限为:B为2.0μg·L-1、P为8.5μg · L-1,B和P的加标回收率分别为:97.2％-103.6％、95.2 ％-102.8％,精密度分别为2.6％、3.5％.方法可准确、快速测定工业硅中痕量元素B和P.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘春侠	昆明理工大学分析测试研究中心	30	222	7.0	13.0
2	何素芳	昆明理工大学分析测试研究中心	15	566	6.0	15.0
3	单云	昆明理工大学分析测试研究中心	9	29	3.0	4.0
4	熊敏	昆明理工大学分析测试研究中心	9	29	3.0	4.0
5	贺与平	昆明理工大学分析测试研究中心	20	80	5.0	7.0
6	卫蓉	昆明理工大学分析测试研究中心	5	21	3.0	4.0