应用于MEMS封装的TSV工艺研究

• 作者: 刘胜 吕植成 徐明海 徐春林 汪学方 王宇哲 王志勇 胡畅
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅通孔(TSV) 微机电系统(MEMS)封装 Bosch工艺 刻蚀 电镀
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 62-67
• 分类号: TH703|TN305.94
• 字数: 4133字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.01.011

摘要

开展了应用于微机电系统(MEMS)封装的硅通孔(TSV)工艺研究,分析了典型TSV的工艺,使用Bosch工艺干法刻蚀形成通孔,气体SF6和气体C4F8的流量分别为450和190 cm3/min,一个刻蚀周期内的刻蚀和保护时长分别为8和3 s；热氧化形成绝缘层；溅射50 nm Ti黏附阻挡层和1 μm Cu种子层；使用硫酸铜和甲基磺酸铜体系电镀液电镀填充通孔,比较了双面电镀和自下而上电镀工艺；最终获得了硅片厚度370μm、通孔直径60 μm TSV加工工艺.测试结果证明:样品TSV无孔隙；其TSV电阻值小于0.01 Ω；样品气密性良好.