H3BO3或SiO2掺杂对CTLA陶瓷微波介电性能的影响

• 作者: 刘林 周晓华 唐斌 庄文东 张树人 方有维
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 腔体滤波器 微波介质陶瓷 频率温度系数 CaTiO3 LaAlO3
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 压电功能材料
• 页码范围: 763-767
• 页数: 5页
• 分类号: TM534
• 字数: 3866字
• 语种: 中文

摘要

研究了H3BO3或SiO2掺杂(质量分数为0.02％～2.00％)对0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度、晶体结构及微波介电性能的影响.结果表明,微量的H3BO3或SiO2掺杂可使0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度从1 380℃降至1 340℃,2.00％以内的H3BO3或SiO2掺杂不会改变陶瓷的物相组成.在H3BO3掺杂质量分数为2.00％时,样品的微观形貌发生了很大的改变,烧成的陶瓷稀疏多孔,密度急剧下降.研究表明,H3BO3或SiO2掺杂对0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的介电常数εr及谐振频率温度系数τf没有很大的影响,但降低了陶瓷的品质因数Q.当质量分数为0.02％时,H3BO3或SiO2掺杂后的0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的微波介电性能最佳:H3 BO3掺杂的陶瓷样品的εr=41.65,品质因数与频率之积Q×f=48 565 GHz,τf≈-1μ℃-1；SiO2掺杂的陶瓷样品的εr=41.48,Q×f=39 491 GHz,τf≈-1μ℃-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张树人	电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室	187	1176	16.0	24.0
2	唐斌	电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室	210	2076	24.0	33.0
3	周晓华	电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室	70	468	11.0	17.0
4	刘林	电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室	10	48	3.0	6.0
5	方有维	电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室	2	20	2.0	2.0
6	庄文东		3	21	2.0	3.0