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摘要:
为研究正装和倒装封装下高功率半导体激光嚣有源区的应力问题,利用有限元软件ANSYS分析得到了两种封装方式下应力场分布图及有源区平行于x轴路径上的应力变化曲线.模拟结果表明,与正装封装相比,倒装封装下有源区应力变化剧烈,平均值高出正装一个数量级.并通过荧光光谱实验对比了封装前后激光器芯片的波长变化,根据半导体禁带宽度与应变关系算出两种封装下的应力大小,与模拟值相符.通过模拟和实验结果可见,芯片封装形式对芯片引入的应力有显著的差别,倒装封装下芯片有源区应力远高于正装封装.
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文献信息
篇名 半导体激光器不同封装下的封装应力
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 半导体激光器 封装 应力 有限元 荧光
年,卷(期) 2012,(9) 所属期刊栏目 可靠性
研究方向 页码范围 726-729
页数 分类号 TN305.94|TN365
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.09.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 冯士维 北京工业大学电子信息与控制工程学院 59 438 12.0 18.0
2 熊聪 中国科学院半导体研究所 10 22 4.0 4.0
3 魏光华 北京工业大学电子信息与控制工程学院 3 14 2.0 3.0
4 乔彦彬 北京工业大学电子信息与控制工程学院 3 27 3.0 3.0
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