表面悬挂键导致硅纳米线掺杂失效机理的第一性原理研究

• 作者: 刘阳 吴珂 李晓艳 梁培 王乐 董前民
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺杂失效 第一性原理 硅纳米线 悬挂键
• 年，卷（期）: 2012,（15）
• 页码范围: 142-146
• 分类号: O561.2
• 语种: 中文

摘要

利用第一性原理方法,本文计算了B/N单掺杂SiNWs,以及含有表面悬挂键的B/N单掺杂硅纳米线的总能和电子结构,计算结果表明,悬挂键的出现会导致单原子掺杂失效.能带结构分析表明,B/N掺杂的H钝化的SiNWs表现出正常的p/n特性,而表面悬挂键（dangling binding,DB）的存在会导致P型（B原子）或者n型（N原子）掺杂失效;其失效的原因主要是因为表面悬挂键所引入的缺陷能级俘获了n型杂质（p型杂质）所带来的电子（空穴）;利用小分子（SO_2）吸附饱和悬挂键可以起到激活杂质的作用,进而实现Si纳米线的有效掺杂.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晓艳	中国计量学院光学与电子科技学院	19	91	5.0	9.0
2	梁培	中国计量学院光学与电子科技学院	44	233	9.0	14.0
3	董前民	中国计量学院光学与电子科技学院	29	209	8.0	13.0
4	刘阳	中国计量学院光学与电子科技学院	10	34	3.0	5.0