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摘要:
设计了一种偏压可调电流镜积分(Current Mirroring Integration,CMI)红外量子阱探测器焦平面CMOS读出电路.该电路适应根据偏压调节响应波段的量子阱探测器,其中探测器偏压从0.61 V到1.55V范围内可调.由于CMI的电流反馈结构,使得输入阻抗接近0,注入效率达0.99;且积分电容可放在单元电路外,从而可以在一定的单元面积下,增大积分电容,提高了电荷处理能力和动态范围;为提高读出电路的性能,电路加入撇除( Skimming)方式的暗电流抑制电路.采用特许半导体(Chartered) 0.35μm标准CMOS工艺对所设计的电路(16×1阵列)进行流片,测试结果表明:在电源电压为3.3V,积分电容为1.25 pF时,电荷处理能力达到1.3×107个电子;输出摆幅达到1.76 V;功耗为25mW;动态范围为75dB;测试结果显示CMI可应用于高性能FPA.
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文献信息
篇名 新型电流镜积分红外量子阱探测器读出电路的设计分析
来源期刊 红外技术 学科 工学
关键词 量子阱探测器焦平面 读出电路 电流镜积分
年,卷(期) 2012,(2) 所属期刊栏目 材料与器件
研究方向 页码范围 95-98
页数 分类号 TN215
字数 1665字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.02.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李煜 10 26 3.0 4.0
2 白丕绩 20 111 7.0 9.0
3 王博 7 26 3.0 5.0
4 刘会平 6 20 3.0 4.0
5 康冰心 1 4 1.0 1.0
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红外技术
月刊
1001-8891
53-1053/TN
大16开
昆明市教场东路31号《红外技术》编辑部
64-26
1979
chi
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