单偏置电压多位分布式MEMS传输线移相器

• 作者: 凌源 杜亦佳 赵兴海 邓成 郑英彬 鲍景富
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 射频微机电系统(RF MEMS) 分布式MEMS传输线移相器 下拉电压 单偏置电压 相移偏移
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: MEMS与传感器
• 页码范围: 102-107
• 分类号: TH703|TN623
• 字数: 3607字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.02.006

摘要

针对传统多位分布式MEMS传输线(DMTL)移相器需要多个偏置电压控制的问题,提出了一种单电压控制多位DMTL移相器的设计方案.这种移相器的每一位具有不同的弹性系数,因此它们的下拉电压各不相同.给出了这种移相器的相关理论、设计实例及仿真结果.通过仿真结果可知,单偏置电压3位DMTL移相器低位到高位的下拉电压分别为19.73,40.49和74.89 V,低位发生下拉时高位相移偏移小于0.062％ (10 GHz,2.925×10-4 rad).单偏置电压4位DMTL移相器低位到高位的下拉电压分别为19.73,32.55,48.41和74.89 V,低位发生下拉时高位相移偏移小于0.094％(10 GHz,4.425×10-4 rad).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鲍景富	电子科技大学电子工程学院	51	296	7.0	14.0
2	赵兴海	中国工程物理研究院电子工程研究所	34	240	9.0	14.0
3	杜亦佳	电子科技大学电子工程学院	8	23	2.0	4.0
4	郑英彬	中国工程物理研究院电子工程研究所	22	115	7.0	9.0
5	邓成	电子科技大学电子工程学院	6	27	2.0	5.0
6	凌源	电子科技大学电子工程学院	4	8	2.0	2.0