AgOx界面插入层对GZO电极LED器件性能的影响

• 作者: 张建华 李喜峰 石继锋 顾文
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: LED 界面插入层 GZO电极 欧姆接触
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1127-1131
• 页数: 5页
• 分类号: TN301
• 字数: 3368字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123310.1127

摘要

采用磁控溅射的方法在p-GaN上制备了GZO透明导电薄膜,通过在p-GaN和GZO界面之间插入AgOx薄层来改善LED器件的接触性能.研究结果表明:氮气退火后,采用界面插入层的AgO/GZO薄膜电阻率为5.8×10-4Ω·cm,在可见光的透过率超过80％.AgOx界面插入层有效地降低了GZO与p-GaN之间的接触势垒,表现出良好的欧姆接触特性,同时使LED器件的光电性能获得了显著的提高.在50 mA的注入电流下,相比于常规的GZO电极LED器件,AgOx/GZO电极LED器件的正向电压由9.68 V降至6.92 V,而发光强度提高了13.5％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建华	上海大学机电工程与自动化学院	106	709	13.0	21.0
5	李喜峰	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	21	70	5.0	6.0
6	石继锋	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	6	18	3.0	4.0
7	顾文	上海大学机电工程与自动化学院	3	11	2.0	3.0