碳纳米管场效应型DMMP气敏传感器研究

• 作者: 张亚非 徐东 戴振清 杨志 陈海燕 陈长鑫 魏良明
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管 场效应器件 气体传感器 解吸附 SiO2/Si
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: MEMS与传感器
• 页码范围: 45-49
• 分类号: TN383|TP212
• 字数: 3354字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.01.008

摘要

基于单壁碳纳米管(SWCNT)的场效应气体传感器由于具有传感性能好、体积小、室温操作和加偏压自我解吸附等优良性能,有着广泛的应用前景.利用单壁碳纳米管自组装技术在SiO2/Si基底上制备均匀分布的SWCNT薄膜,将其作为沟道制作了具有灵敏开关特性的场效应晶体管(FET),该FET器件的开关比达到105.将此FET器件作为气体传感芯片用于甲基膦酸二甲酯(DMMP)气体分子的检测.结果显示,当通入DMMP气体时,器件的阈值电压向负栅电压方向移动.当DMMP体积分数为5×10-6,栅压为-10V时,器件的灵敏度达到32％,响应时间为300 s.在15 V的栅压下器件能够很快地实现气体解吸附.