反应磁控溅射制备AZO薄膜相结构的演化及机理研究

• 作者: 丁宇 张晓静 田亚萍 白力静 蒋百灵 赵志明 马二云
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 直流反应磁控溅射 AZO薄膜 Al2 O3纳米颗粒
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 177-182
• 分类号: O484
• 字数: 2997字
• 语种: 中文

摘要

在室温下,利用直流反应磁控溅射技术在不同的氧气流量下沉积ZnO∶ Al (AZO)薄膜.采用XRD、SEM和TEM技术分析薄膜相成分、表面截面形貌及微观结构.结果表明:氧气流量为2.5 sccm时,沉积形成的薄膜为不透明具有金属导电性能的AZO/Zn( AZO)双层复合膜结构；氧气流量为3.5 sccm时,沉积形成了透明导电的AZO薄膜；氧气流量为5.0 sccm时,形成了透明不导电且含有纳米Al2O3颗粒的AZO薄膜；此外,AZO薄膜在400℃退火后,薄膜晶粒长大和(002)晶面方向择优生长更加明显以及高氧气流量沉积的AZO薄膜中的纳米Al2O3颗粒消失.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋百灵	西安理工大学材料科学与工程学院	241	5240	40.0	64.0
2	白力静	西安理工大学材料科学与工程学院	55	796	14.0	27.0
3	赵志明	西安理工大学材料科学与工程学院	22	50	4.0	6.0
4	丁宇	西安理工大学材料科学与工程学院	3	23	3.0	3.0
5	田亚萍	西安理工大学材料科学与工程学院	4	24	3.0	4.0
6	张晓静	西安理工大学材料科学与工程学院	8	26	3.0	5.0
7	马二云	西安理工大学材料科学与工程学院	6	12	2.0	3.0