SiC籽晶表面状态对晶体质量的影响

• 作者: 刘素娟 李科 杨明超 杨莺 林生晃 陈治明
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC籽晶 表面状态 腐蚀 抛光 缺陷密度
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 294-297
• 分类号: O78
• 字数: 1834字
• 语种: 中文

摘要

为了研究表面状态对晶体质量的影响,本文分别采用腐蚀后抛光与未抛光的晶片作为籽晶,利用金相显微镜对所得晶体进行了显微观察,结果表明:经过腐蚀后抛光的籽晶生长出的晶体质量高于未抛光籽晶所得晶体；生长前端的位错尺寸以及数量小于未抛光籽晶,说明抛光去除了部分表面浅的缺陷腐蚀坑,同时减小深腐蚀坑的尺寸,使得籽晶生长表面的缺陷密度和尺寸大大降低,有助于减少后期生长的晶体中的缺陷密度,提高结晶质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	杨莺	西安理工大学电子工程系	11	48	5.0	6.0
3	杨明超	西安理工大学电子工程系	2	7	1.0	2.0
4	林生晃	西安理工大学电子工程系	4	10	2.0	3.0
5	李科	西安理工大学电子工程系	2	7	1.0	2.0
6	刘素娟	西安理工大学电子工程系	2	7	1.0	2.0