IGBT器件栅极漏电问题研究

• 作者: 刘道广 姚伟明 巨峰峰 翁长羽
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 漏电 短路 二极管特性 磷硅玻璃(PSG) 栅氧(GOX)
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 738-742
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.09.017

摘要

IGBT器件具有输入阻抗高和导通压降低的优点,在大功率电力电子领域具有广泛的应用,但IGBT器件的栅极漏电问题严重影响产品的成品率和可靠性,是产品制造工艺控制的关键.栅极漏电问题主要由栅氧化层质量、多晶硅栅形貌以及栅极与发射极之间的隔离等问题所致,通常造成栅极短路漏电的原因比较容易发现,但栅极轻微漏电的原因比较复杂,需要通过科学的分析,才能找到问题的根源.通过对典型栅极漏电(栅极间呈现二极管特性)问题的调查,总结了解决问题的思路和方法,对IGBT芯片制造者或器件应用者有一定的参考作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘道广		12	53	4.0	7.0
2	巨峰峰		2	2	1.0	1.0
3	翁长羽		2	2	1.0	1.0
4	姚伟明		1	1	1.0	1.0