双层复合栅介质膜的制备及电学性能研究

• 作者: 张亚军 王乐 祖帅 钟传杰
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: OTFT 复合绝缘膜 电子陷阱 漏电机理
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 820-822,827
• 页数: 4页
• 分类号: TM215.92
• 字数: 3011字
• 语种: 中文

摘要

介电常数分别为2.6的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）及介电常数为16的偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物（P（VDF-TrFE））两种不同的有机绝缘材料,通过溶液旋涂的方法在P型硅衬底上制备了不同结构的复合栅介质膜并测试了它们的高频C-V特性及漏电特性。实验结果表明Si-PMMA-P（VDF-TrFE）-Ag结构绝缘膜上单位面积电容达到了35nF/cm2,40V电压下漏电流随着扫描次数的增加逐渐由7.29×10-7 A/cm2降低至3.44×10-7 A/cm2。而Si-P（VDF-TrFE）-PM-MA-Ag结构栅介质膜测得的单位面积电容仅为15nF/cm2,在相同电压下的单位面积漏电流为1.93×10-8 A/cm2。在此基础上分析了电子陷阱以及电场强度对双层栅绝缘膜C-V、I-V特性的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟传杰	江南大学物联网工程学院	53	90	5.0	7.0
2	王乐	江南大学物联网工程学院	6	17	2.0	4.0
3	张亚军	江南大学物联网工程学院	3	6	2.0	2.0
4	祖帅	江南大学物联网工程学院	3	6	2.0	2.0