长波InAsSb材料的结构特性研究

• 作者: 方维政 杜传兴 高玉竹 龚秀英
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: InAsSb 熔体外延 结构性质 组分分布
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 14-16,24
• 分类号: TN304
• 字数: 1369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2012.01.006

摘要

用熔体外延（ME）法在InAs衬底上生长了InAsSb外延层，用扫描电子显微镜（SEM）观察了样品的横截面，并测量出外延层的厚度达到100μm，用X-射线衍射（XRD）谱研究了InAsSb外延层的结构性质。测量结果表明，InAs／InAs0．023Sbo1977单晶具有相当完美的晶体取向结构及良好的结晶质量，这可能得益于100ktm的外延层厚度基本消除了外延层与衬底之间晶格失配的影响。电子探针微分析（EPMA）测量的元素分布图像显示，Sb（锑）元素在外延层中的分布相当均匀。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高玉竹	同济大学电子与信息工程学院	12	50	3.0	7.0
2	方维政	中国科学院上海技术物理研究所	20	91	6.0	8.0
3	龚秀英	同济大学电子与信息工程学院	9	12	2.0	3.0
4	杜传兴	同济大学电子与信息工程学院	2	0	0.0	0.0