多孔硅场发射阴极研究进展

• 作者: 罗文 胡文波
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 冷阴极 表面电子发射 平板显示器件
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 36-42
• 分类号: TN141|TN873
• 字数: 4824字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2012.01.007

摘要

多孔硅(Porous Silicon,PS)平面阴极的场发射电子能量高、发散角小、对真空度不敏感、响应快,尤其适合用作场发射显示的电子源,基于PS阴极的无放电气体激发发光也为新型环保的高效平面光源技术带来了希望.本文介绍了PS阴极的电子发射原理及其研究进展,展望了其在显示技术、无放电气体激发发光技术、金属线沉积、电子束刻蚀以及其他领域的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡文波	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	32	92	5.0	7.0
2	罗文	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	2	5	2.0	2.0