基区设计对InGaP/GaAs HBT热稳定性的影响

• 作者: 余曙芬 冯尚功 李惠军 郭琪 陈延湖
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: InGaP/GaAsHBT 基区设计 热稳定性 电流增益崩塌 热电反馈系数 集电极电流理想因子 热阻
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 78-82,133
• 分类号: TN325.3
• 字数: 3809字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.02.002

摘要

研究了不同基区设计对多发射极指结构功率InGaP/GaAs异质结双极型晶体管热稳定性的影响.以发生电流增益崩塌的临界功率密度为热稳定性判定标准,推导了热电反馈系数φ、集电极电流理想因子η和热阻R th与基区掺杂浓度NB、基区厚度dB的理论公式.基于TCAD虚拟实验,观测了不同基区掺杂浓度和不同基区厚度分别对InGaP/GaAs HBT热稳定性的影响.结合理论公式,对仿真实验曲线进行了分析.结果表明,基区设计参数对热稳定性有明显的影响,其影响规律不是单调变化的.通过基区外延层参数的优化设计,可以改进多指HBT器件的热稳定性,从而为多指InGaP/GaAs HBT热稳定性设计提供了一个新的途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李惠军	山东大学信息科学与工程学院	51	103	5.0	7.0
2	郭琪	山东大学信息科学与工程学院	12	88	5.0	9.0
3	陈延湖	山东大学信息科学与工程学院	6	9	2.0	2.0
4	余曙芬	山东大学信息科学与工程学院	1	2	1.0	1.0
5	冯尚功	山东大学信息科学与工程学院	1	2	1.0	1.0