应力对厚30nm的FeCoSiB薄膜影响的微磁模拟

• 作者: 庞翔 张万里 张彩虹 彭斌 杨成韬 毕长红
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 微磁学模拟 剩磁 矫顽力 应力
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 压点功能材料
• 页码范围: 293-295,298
• 分类号: TM271
• 字数: 2551字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2012.02.035

摘要

从微磁学理论出发,建立了单轴应力作用下的等效模型；利用美国国家标准技术协会(NIST)开发的微磁学软件OOMMF,从理论上研究应力对厚30 nm的FeCoSiB非晶磁弹性薄膜图形化单元磁畴、剩磁、矫顽力等磁性特性的影响.结果表明,FeCoSiB非晶磁弹性薄膜的磁矩分布随应力的变化明显不同；当应力于外磁场方向平行时,薄膜单元的矫顽力和剩磁随张应力的增加而线性增加,随着压应力的增加而线性减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨成韬	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	67	255	8.0	12.0
2	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
3	彭斌	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	87	638	12.0	21.0
4	庞翔	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	7	57	4.0	7.0
5	毕长红	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	7	4	1.0	2.0
6	张彩虹	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	4	1.0	2.0