真空断路器真空度与灭弧室屏蔽罩上感应电位联系机理研究

• 作者: 刘旭东 张鑫 樊建荣 潘永成 石维坚 范兴明 赵光宙
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 真空度 屏蔽罩电位 介电常数 有限元分析 机理研究
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 472-476
• 分类号: TM561|TP227
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2012.06.05

摘要

屏蔽罩电位是判断真空断路器灭弧室真空度水平优劣的一种技术手段,研究人员对屏蔽罩电位信号成分及其形成机理进行了大量的研究工作,并在理论上和试验方面取得了一定成果.但对于真空屏蔽罩上电位的成因并无公认的解释,且实际应用中难以将不同型号的断路器按同一标准对待.为寻求真空度与屏蔽罩电位的内在联系机理,本文基于前人研究成果,从电介质学及气体放电的相关理论出发,将真空度劣化过程分成三个阶段分别讨论,阐述了各个阶段依据理论基础.特别针对真空度高于0.1Pa时较难判断的屏蔽罩电位值,利用有限元分析的方法进行了3D电场计算,分析了该真空度范围下屏蔽罩电位的变化规律,研究成果提供了一种真空度判断与评估的可行方法,具有较好的应用参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵光宙	浙江大学电气工程学院	115	2009	25.0	39.0
2	范兴明	桂林电子科技大学电气工程及其自动化系	55	437	11.0	18.0
5	张鑫	桂林电子科技大学电气工程及其自动化系	48	581	10.0	23.0
6	潘永成		5	53	4.0	5.0
7	刘旭东	桂林电子科技大学电气工程及其自动化系	4	46	3.0	4.0
8	樊建荣		3	23	3.0	3.0
12	石维坚		3	23	3.0	3.0