GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响

• 作者: 孙晓娟 宋航 李志明 王新建 缪国庆 蒋红 陈一仁 黎大兵
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlN GaN缓冲层 晶体结构 晶粒尺寸
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1089-1094
• 页数: 6页
• 分类号: O76
• 字数: 919字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123310.1089

摘要

通过直流磁控反应溅射制备了氮化铝(AlN)薄膜,研究了沉积条件与氮化镓(GaN)缓冲层对薄膜质量的影响.利用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的晶体结构和表面形貌.XRD研究结果表明,低工作压强、短靶距和适当的氮气偏压有利于(002)择优取向的AlN薄膜沉积.随着沉积时间的增加,沉积在50 nm厚的GaN缓冲层上的AlN薄膜的(002)面的衍射峰的半高宽急剧减小,而沉积在1-μm厚的GaN薄膜上的AlN薄膜的(002)面的衍射峰的半高宽几乎不变.SEM测试结果表明:在沉积的初期,沉积在1μm厚的GaN薄膜上的AlN薄膜的(002)面的晶粒大小分布比沉积在50 nm厚的GaN缓冲层上的AlN薄膜的均匀,而随着沉积时间的增加,它们的晶粒大小分布几乎趋向一致.