新型电子俘获型光存储材料Sr2Sn04：Sb3＋的发光性能研究

• 作者: 周宏亮 张加驰 王世钦 王治龙 秦青松 郑贵森
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: Sr2SnO4：Sb3+ 红外上转换光激励 光存储
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 511-516
• 分类号: TN104.3
• 语种: 中文

摘要

采用高温固相法在1300°C的温度获得了一种新型电子俘获型光存储材料Sr2Sn04：Sb3＋．结果表明：208nm（Sb3＋的So-P1）和265nm（1so-3P1）的紫外光是Sr2Sn04：Sb3＋的最有效信息写入光源；其发射是覆盖400-700nm的宽带（3Po1-1So），肉眼可看到淡黄色白光，色坐标为（0．341，0．395）．热释光谱研究结果表明：Sr2Sn04：Sb3＋有分别位于39°C，124°C，193°C和310°C的四个热释峰．其中，39°C的热释峰强度很低，因而Sr2Sn04：Sb3＋只具有不到140S的微弱余辉．而310°C的高温热释峰在空置1天后，仍能保持约45．6％的初始强度，并对980nm的红外光有很好的红外上转换光激励响应．因此，Sr2Sn04：Sb3＋是一种具有一定的信息存储应用潜力的新型光存储发光材料．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王世钦		12	24	3.0	4.0
2	郑贵森		41	45	4.0	5.0
3	王治龙		6	11	2.0	3.0
4	秦青松	兰州大学物理科学与技术学院	1	5	1.0	1.0
5	周宏亮	兰州大学物理科学与技术学院	1	5	1.0	1.0
6	张加驰	兰州大学物理科学与技术学院	9	29	3.0	5.0