外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究

• 作者: 徐晨 李影智 邓旭光 邢艳辉 陈翔 韩军
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 非掺杂氮化镓(GaN) X射线双晶衍射(DCXRD) 光致荧光(PL)光谱
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1084-1088
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2759字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123310.1084

摘要

采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜,在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品,并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析.XRD(0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70 cm3/min时样品位错密度最低.利用该TMGa流量进一步制备了改变生长温度的样品.XRD和PL谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能.最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析.