恒电压下百草枯和阿特拉津在纳米通道中迁移特性研究

• 作者: 代国帅 史汶灵 黄杉生
• 来源期刊: 分析试验室
• 学科: 化学
• 关键词: 金纳米通道 电荷选择性 百草枯 阿特拉津 分离
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告与研究简报
• 页码范围: 6-10
• 分类号: O652.6
• 字数: 3310字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0720.2012.01.002

摘要

采用化学沉积法将金沉积到聚碳酸酯膜内孔壁,制备了呈负电性的阵列金纳米通道.在外加恒电压作用下,阳离子型的百草枯选择性通过负电性的金纳米通道,阿特拉津为分子型化合物,不受电荷选择性和电泳作用影响,难以在金纳米通道内迁移.借此,可实现二者的分离.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史汶灵	上海师范大学生命与环境科学学院	4	17	1.0	4.0
2	黄杉生	上海师范大学生命与环境科学学院	39	148	7.0	10.0
3	代国帅	上海师范大学生命与环境科学学院	2	2	1.0	1.0