InAlO3(ZnO)15超晶格纳米串的合成及其电学性质

• 作者: 张锷 王广宁 郎颖 陈婷婷 黄东亮
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 化学
• 关键词: InAlO3 (ZnO)15 化学气相沉积法 电学性质
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 110-114
• 分类号: O613.52|O614.24|O782
• 字数: 1657字
• 语种: 中文

摘要

通过化学气相沉积方法成功合成了InAlO3 (ZnO)15超晶格纳米串.扫描电镜观察到InAlO3 (ZnO)15纳米片沿生长方向均匀排列,直径约为80 ～ 150 nm,长度约为7～20 μm.X射线衍射结果表明样品具有InAlO3 (ZnO)15超晶格纳米结构.高分辨透射电子显微镜显示相邻两个In-O层中间共16层In(Al)O(ZnO)m+block,并研究了其生长机制.在0.6～3 V电压范围内,I-V特性曲线出现非线性性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郎颖	哈尔滨师范大学物理与电子工程学院	4	12	2.0	3.0
3	王广宁	哈尔滨师范大学物理与电子工程学院	2	10	1.0	2.0
5	陈婷婷	哈尔滨师范大学物理与电子工程学院	5	12	1.0	3.0
11	黄东亮	哈尔滨师范大学物理与电子工程学院	1	10	1.0	1.0